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Publications

  1. C. Fiorini; M. Bellini; A. Gola; A. Longoni; F. Perotti; P. Lechner; H. Soltau; L. Strüder,
    Conference Record of the 2004 IEEE Nuclear Science Symposium,
    IEEE,
    vol.2,
    2004
    , pp. 1324-
    1326
    , (Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC 04),
    Rome (Italy),
    10/16/2004 - 10/22/2004)
  2. A. Longoni; C. Fiorini; C. Guazzoni; S. Buzzetti; M. Bellini; A. Gola; L. Strüder; P. Lechner; A. Bjeoumikov; J. Kemmer,
    Conference Record of the 2004 IEEE Nuclear Science Symposium,
    IEEE,
    2004
    , pp. 1327-
    1330
    , (Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC 04),
    Rome (Italy),
    10/16/2004 - 10/22/2004)
  3. A. Simoni; L. Gonzo; D.Stoppa; M. Scandiuzzo; F. De Nisi; L. Pancheri; G. Dalla Betta,
    Dispositivo per la rivelazione di radiazione elettromagnetica, pixel e matrice di pixel comprendenti siffatti dispositivi, e sensori ottici comprendenti una tale matrice di pixel.
    2004,
  4. C. Piemonte,
    Improvements achieved in the fabrication of JFET transistors on high-resistivity silicon by means of TCAD simulations,
    The TCAD simulator is an indispensable tool both for the design of new devices based on semiconductor technology as well as for a thorough understanding of the device functioning. This paper reports the improvements achieved in the characteristics of JFET transistors built on high-resistivity silicon by exploiting the information extracted from process and device simulations to tune the fabrication technology. The first part of the report gives some examples of simulation outcomes already implemented in the fabrication process and the relative impact on the device performance, whereas the second presents possible improvements to be applied in the following productions to render the device more robust,
    2004
  5. N. Massari; M. Gottardi,
    Un Photon-Mixer Device (PMD) CMOS basato su Pompe di Carica a Trappole Interfacciali (ITCP),
    In questo lavoro viene presentato un dispositivo PMD innovativo basato sul principio delle pompe di carica a trappole interfacciali (Interface-Trap Charge Pump). Questo approccio permette di trasferire la carica foto-generata dal fotosensore verso il nodo di lettura semplicemente pulsando il gate di un transistor MOS. In tal modo, pacchetti di carica di segnale vengono accumulati sotto il gate per essere successivamente iniettati verso il substrato e poi letti e convertiti in tensione. Utilizzando 2 o più transistor, è possibile implementare un mixer che può essere utilizzato anche come blocco elementare per un dispositivo per acquisizioni di immagini 3D mediante la tecnica di Indirect Time Of Flight (ITOF),
    2004
  6. Massimo Gottardi; Lorenzo Gonzo; S. Gregori; V. Liberali; Andrea Simoni; G. Torelli,
    An Integrated CMOS Front-End for Optical Absolute Rotary Encoders,
    in «ANALOG INTEGRATED CIRCUITS AND SIGNAL PROCESSING»,
    vol. 34,
    2003
    , pp. 143 -
    154
  7. V. Liberali; F. Cherchi; L. Disingrini; Massimo Gottardi; S. Gregori; G. Torelli,
    A Digital Self-Calibration Circuit for Absolute Optical Rotary Encoders,
    in «IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT»,
    2003
    , pp. 149 -
    157
  8. Lorenzo Gonzo; Andrea Simoni; Massimo Gottardi; David Stoppa; Jean Angelo Beraldin,
    Sensor Optimized for 3D Digitization,
    in «IEEE TRANSACTIONS ON INSTRUMENTATION AND MEASUREMENT»,
    2003
    , pp. 903 -
    908
  9. Andrea Candelori; Dario Bisello; R. Rando; A. Kaminski; J. Wyss; A. Litovchenko; Gian Franco Dalla Betta; Manuel Lozano; Maurizio Boscardin; C. Martinez; M. Ullan; Nicola Zorzi,
    Radiation hardness of silicon detectors for high-energy physics applications,
    in «IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE»,
    vol. 50,
    n. 4,
    2003
    , pp. 1121 -
    1128
  10. Maurizio Boscardin; Luciano Bosisio; Andrea Candelori; Gian Franco Dalla Betta; S. Dittongo; Paolo Gregori; Claudio Piemonte; Irina Rachevskaia; Sabina Ronchin; Nicola Zorzi,
    An improved termination structure for silicon radiation detectors with all-p-type multiguard and cut-line implants,
    in «IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE»,
    vol. 50,
    n. 4,
    2003
    , pp. 1001 -
    1007

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